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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 14/23頁 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
14
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
SPT03038
"H" or "L"
Data
Column
t
t
OH
OL
IL
IH
IL
IH
I/O
(Output)
V
V
V
OE
WE
V
V
V
RCS
CAC
t
CLZ
RAC
t
AA
t
t
OES
t
OEA
t
IH
IL
IL
IH
IH
IL
Address
V
V
CAS
RAS
V
V
V
V
RCD
ASC
Column
Row
ASR
t
RAD
t
t
RAH
t
t
CRP
t
1
CSH
CAH
t
ASC
t
HPC
CAS
t
t
t
CP
t
RCH
t
OUT
OUT
t
COH
OUT 1
Data
AA
t
CPA
t
CAC
t
t
COH
2
Data
t
AA
CPA
t
CAC
t
t
N
OEZ
OFF
CRP
RP
RHCP
Column
2
CAH
t
CAS
t
N
t
CAH
ASC
t
t
RAL
RRH
t
RSH
t
CAS
t
t
t
RAS
t
t
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HYB3118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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