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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117405BJ-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3117405BJ-70 |
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Semiconductor Group
4
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Block Diagram for HYB3117405
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x2048x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
CAS
2048
2048
x4
.
11
11
11
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
11
11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
| HYB3116405BTL-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
| HYB3116405BTL-70 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3117405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
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