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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D256160TE-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 75/94頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160TE-3 |
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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Timing Diagrams
Data Sheet
77
Rev. 1.6, 2004-12
5
Timing Diagrams
The timing diagrams in this chapter give an overview of possible and recommended command sequences.
5.1
Write Command: Data Input Timing
Figure 39 shows DQS versus DQ and DM Timing during write burst.
Figure 39
Data Input (Write), Timing Burst Length = 4
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DQSL
DI n = Data In for column n.
3 subsequent elements of data in are applied in programmed order following DI n.
DI n
DQS
DQ
DM
Don’t Care
t
DQSH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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