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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D256160TE-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/94頁(yè) |
| 文件大小： | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160TE-3 |
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Data Sheet
61
Rev. 1.6, 2004-12
HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
3.6
Simplified State Diagram
Figure 33
Simplified State Diagram
Self
Auto
Idle
MRS
EMRS
Row
Precharge
Power
Write
Power
ACT
Read A
Read
REFS
REFSX
REFA
CKEL
MRS
CKEH
CKEL
Write
Power
Applied
Automatic Sequence
Command Sequence
Read A
Write A
Read
PRE
Refresh
Down
Power
Down
Active
On
A
Read
A
Read
A
Write A
Burst Stop
PREALL
Active
Precharge
PREALL
Read
Write
PREALL = Precharge All Banks
MRS = Mode Register Set
EMRS = Extended Mode Register Set
REFS = Enter Self Refresh
REFSX = Exit Self Refresh
REFA = Auto Refresh
CKEL = Enter Power Down
CKEH = Exit Power Down
ACT = Active
Write A = Write with Autoprecharge
Read A = Read with Autoprecharge
PRE = Precharge
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