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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D256160TE-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/94頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160TE-3 |
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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
38
Rev. 1.6, 2004-12
Figure 14
Terminating a Read Burst: CAS Latencies (Burst Length = 8)
CAS Latency = 2
NOP
BST
NOP
Read
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n = data out from bank a, column n.
Cases shown are bursts of 8 terminated after 4 data elements.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
DOa-n
Don’t Care
CK
BAa, COL n
CL=2
CAS Latency = 2.5
NOP
BST
NOP
Read
CK
Command
Address
DQS
DQ
DOa-n
CK
BAa, COL n
CL=2.5
No further output data after this point.
DQS tristated.
No further output data after this point.
DQS tristated.
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PDF描述 |
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