參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D256160TE-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
中文描述： 記憶譜
文件頁(yè)數(shù)： 41/94頁(yè)
文件大?。?/td> 3326K
代理商： HYB25D256160TE-3
HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
46
Rev. 1.6, 2004-12
Figure 21
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
T1
T2
T3
T4
T5
tDQSS (max)
Maximum DQSS
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
b', etc. = odd or even complement of b, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Each Write command may be to any bank.
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
T1
T2
T3
T4
T5
Minimum DQSS
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
tDQSS (min)
DI a-g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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