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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機(jī)存儲器（200萬× 8位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 15/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB 5117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
15
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
SPT03039
"H" or "L"
DS
Data
Column
t
IH
V
I/O
(Input)
OE
V
V
IL
IH
V
IL
WE
V
V
IL
IH
Data
t
DS
WCS
t
IN 1
t
DH
t
WP
CWL
t
t
WCH
t
t
WCS
CAS
Address
V
IL
V
IH
IL
V
RAS
V
IH
IL
V
V
IH
t
t
ASC
Column
Address
Row
ASR
t
RAD
t
RAH
t
t
CRP
t
RCD
1
t
CSH
CAH
ASC
t
HPC
CAS
t
t
CP
t
Data
DS
IN 2
t
DH
t
CWL
WCH
WP
t
t
t
t
WCS
IN N
t
DH
t
t
WCH
WP
t
CWL
CRP
RP
t
Column
2
CAH
t
ASC
t
t
CAS
RWL
t
N
t
CAH
t
RAL
RSH
t
CAS
t
RHCP
t
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
| HYB5118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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