參數(shù)資料
型號: HY628400A
英文描述: 512Kx8bit CMOS SRAM(512Kx8位 CMOS 靜態(tài)RAM)
中文描述: 512Kx8bit的CMOS的SRAM(512Kx8位的CMOS靜態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 130K
代理商: HY628400A
HY628400A Series
Rev.03 / Jun. 2000
5
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1(Note 1,4)
READ CYCLE 2(Note 1,2,4)
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. Read Cycle occurs whenever a high on the /WE and /OE is low, and /CS are in active status.
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/OE
tOE
tCLZ
(3)
tOLZ
(3)
tCHZ
(3)
tOHZ
(3)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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