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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY628400A |
| 英文描述： | 512Kx8bit CMOS SRAM(512Kx8位 CMOS 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 512Kx8bit的CMOS的SRAM（512Kx8位的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | HY628400A |
HY628400A Series
Rev.03 / Jun. 2000
3
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITION
T
A
=0
é
to 70
é
(Normal)
Symbol
Vcc
Vss
V
IH
V
IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
Typ.
5.0
0
-
-
Max.
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
Unit
V
V
V
V
Note :
1. V
IL
= -1.5V for pulse width less than 30ns and not 100% tested.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
A
= 0
°
C to 70
°
C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
.
-1
-1
Typ
.
-
-
Max
.
1
1
Unit
I
LI
I
LO
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Vss < V
IN
< Vcc
Vss < V
OUT
< Vcc, /CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
or /WE = V
IL
/CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
or V
IL,
I
I/O =
0mA
/CS = V
IL
Min Duty Cycle = 100%,
V
IN
= V
IH
or V
IL,
I
I/O =
0mA
/CS = V
IH
uA
uA
Icc
Operating Power Supply
Current
Average Operating Current
-
10
mA
I
CC1
-
60
mA
I
SB
TTL Standby Current
(TTL Input)
Standby Current
(CMOS Input)
Output Low Voltage
Output High Voltage
-
2
mA
I
SB1
/CS > Vcc - 0.2V
L
LL
-
-
-
-
-
-
-
100
30
0.4
-
uA
uA
V
V
V
OL
V
OH
I
OL
= 2.1mA
I
OH =
-1mA
2.4
Note : Typical values are at Vcc = 5.0V, T
A
= 25
°
C
CAPACITANCE
Temp = 25
°
C, f= 1.0MHz
Symbol
C
IN
C
OUT
Parameter
Condition
V
IN
= 0V
V
I/O
= 0V
Max.
6
8
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Output Capacitance
Note : This parameter is sampled and not 100% tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY6316100AJ-15 | x16 SRAM |
| HY6316100AJ-17 | x16 SRAM |
| HY6316100AJ-20 | x16 SRAM |
| HY6316100AJ-25 | x16 SRAM |
| HY6316100ALJ-15 | x16 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HY628400ALG-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628400ALG-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628400ALG-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628400ALG-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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