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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU28422BLT-X |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 128M-S DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128M的，擰DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | HY5DU28422BLT-X |
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HY5DU28422B(L)T
HY5DU28822B(L)T
Rev. 0.3/May. 02
27
Input Hold Time (slow slew rate)
t
IH
0.8
-
1.0
-
ns
2,4,5,6
Input Pulse Width
t
IPW
2.2
2.2
ns
6
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.35
-
0.35
-
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.35
-
0.35
-
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.75
1.25
0.72
1.28
CK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.45
-
0.5
-
ns
6,7, 11~13
Data-in Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
0.45
-
0.5
-
ns
6,7, 11~13
DQ & DM Input Pulse Width
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
ns
Read DQS Preamble Time
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
CK
Read DQS Postamble Time
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Preamble Setup Time
t
WPRES
0
-
0
-
CK
Write DQS Preamble Hold Time
t
WPREH
0.25
-
0.25
-
CK
Write DQS Postamble Time
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Mode Register Set Delay
t
MRD
2
-
2
-
CK
Exit Self Refresh to Any Execute Command
t
XSC
200
-
200
-
CK
8
Average Periodic Refresh Interval
t
REFI
-
15.6
-
15.6
us
Parameter
Symbol
DDR333
DDR266(2-2-2)
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU28422BT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28822BLT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28822BT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622DLTP | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DLTP-H | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU28422BT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28422BT-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| HY5DU28422BT-J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| HY5DU28422BT-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| HY5DU28422BT-L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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