參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP7N60A4_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600V SMPS Series N-Channel IGBT
中文描述： 34 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： HGTP7N60A4_NL
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4 Rev. B2
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C,
CAP
A
C
IT
ANCE
(
n
F
)
0
20406080
100
0
0.2
0.6
0.8
1.4
0.4
FREQUENCY = 1MHz
CIES
COES
CRES
1.2
1.0
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
9
1.8
10
12
2.0
2.4
2.2
11
13
14
15
16
2.6
2.8
V
CE
,C
O
L
E
C
T
O
R
T
O
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
GE
(V
)
ICE = 14A
ICE = 7A
ICE = 3.5A
DUTY CYCLE < 0.5%, TJ = 25
oC
PULSE DURATION = 250
s,
t1, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θJC
,
N
O
R
M
A
LI
ZED
TH
ERM
A
L
R
ESP
O
N
SE
10-2
10-1
100
10-5
10-3
10-2
10-1
100
101
10-4
t1
t2
PD
DUTY FACTOR, D = t1 / t2
PEAK TJ = (PD X ZθJC X RθJC) + TC
SINGLE PULSE
0.1
0.2
0.5
0.05
0.01
0.02
RG = 25
L = 1mH
VDD = 390V
+
-
RHRP660
tfI
td(OFF)I
trI
td(ON)I
10%
90%
10%
90%
VCE
ICE
VGE
EOFF
EON2
HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGXO0A-N-SM5-FREQ,10/40/-/M CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz - 50 MHz, CMOS OUTPUT
HGXO2F-N-50.0M,10/40/-/M CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT
HGXO2G-N-32.0M,10/40/-/M CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz, CMOS OUTPUT
HGXO3A-N-460.0K,10/10/-/C CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz, CMOS OUTPUT
HGXO3C-T-SM3-32.0M,10/20/-/I CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz, CMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTP7N60B3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP7N60B3D 功能描述:IGBT 晶體管 PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP7N60C3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP7N60C3D 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP7N60C3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 600V 14A TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, 600V, 14A, TO-220
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*