參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG15N120C3
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商： HGTG15N120C3
9
HGTG15N120C3, HGTP15N120C3, HGT1S15N120C3, HGT1S15N120C3S
TO-262AA
3 LEAD JEDEC TO-262AA PLASTIC PACKAGE
LEAD NO. 1
-
GATE
LEAD NO. 2
-
COLLECTOR
LEAD NO. 3
-
EMITTER
TERM. 4
-
COLLECTOR
H
1
D
L
1
L
1
e
e
1
b
b
1
A
1
A
c
J
1
E
15
o
2
3
TERM. 4
60
o
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.170
0.180
4.32
4.57
-
A
1
b
0.048
0.052
1.22
1.32
3, 4
0.030
0.034
0.77
0.86
3, 4
b
1
c
0.045
0.055
1.15
1.39
3, 4
0.018
0.022
0.46
0.55
3, 4
D
0.405
0.425
10.29
10.79
-
E
0.395
0.405
10.04
10.28
-
e
0.100 TYP
2.54 TYP
5
e
1
H
1
J
1
L
0.200 BSC
5.08 BSC
5
0.045
0.055
1.15
1.39
-
0.095
0.105
2.42
2.66
6
0.530
0.550
13.47
13.97
-
L
1
0.110
0.130
2.80
3.30
2
NOTES:
1. These dimensions are within allowable dimensions of Rev. A of
JEDEC TO-262AA outline dated 6-90.
2. Solder finish uncontrolled in this area.
3. Dimension (without solder).
4. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder plating.
5. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bottom
of dimension D.
6. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bottom
of dimension D.
7. Controlling dimension: Inch.
8. Revision 4 dated 10-95.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP15N120C3 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S15N120C3 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S15N120C3S 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTG20N100D2 20A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG20N120C3D 45A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG15N120C3D 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BN 功能描述:IGBT 晶體管 54A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG18N120BND 功能描述:IGBT 晶體管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG18N120BND_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG201N100E2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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