參數(shù)資料
型號： HAT2172H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： HAT2172H
HAT2172H
Rev.4.00, Oct.29.2003, page 7 of 9
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP
2
2
V
V - V
DSS
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
50
40
30
20
10
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I
AP
= 20 A
V
DD
= 15 V
duty < 0.1 %
Rg
≥
50
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
V
GS
= 0, –5 V
10 V
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PDF描述
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