參數(shù)資料
型號： HAT2172H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： HAT2172H
HAT2172H
Rev.4.00, Oct.29.2003, page 6 of 9
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
0.1
0.3
1
3
10
30
100
20
50
10
0
5
10
15
20
30
25
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
1000
300
100
30
10
1
3
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
0.3
1
3
10
30
100
0.1
100
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
8
16
24
32
40
0
I
D
= 30 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 25 V
10 V
5 V
V
DD
= 25 V
10 V
5 V
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
Rg = 4.7 , duty < 1 %
tf
tr
td(off)
td(on)
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PDF描述
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