參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2172H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： HAT2172H
HAT2172H
Rev.4.00, Oct.29.2003, page 5 of 9
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Case Temperature Tc (
°
C)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
2
5
20
50
1
3
30
15
10
5
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
1
10
100
1000
0.3
V
GS
= 7 V
10 V
Pulse Test
I
D
= 20 A
5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 7 V
10 V
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
100
30
1
0.3
3
0.1
Tc = –25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 20 A
10 A
5 A
5 A, 10 A
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PDF描述
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