參數(shù)資料
型號： HAT2172H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： HAT2172H
HAT2172H
Rev.4.00, Oct.29.2003, page 2 of 9
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
40
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
30
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note1
120
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-C
Tch
30
A
Avalanche current
20
A
Avalanche energy
32
mJ
Channel dissipation
20
W
°
C/W
°
C
°
C
Channel to Case Thermal Resistance
6.25
Channel temperature
150
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg
≥
50
3. Tc = 25°
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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