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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2129H-EL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | HAT2129H-EL-E |
HAT2129H
Rev.5.00 Sep 20, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
10 V
7 V
4.2 V
4.8 V
3.8 V
V
GS
= 4.6 V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
1
0.1
10
1000
0.01
0.1
1
10
100
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW = 10 ms
DC Operaton
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
10
0
50
100
150
200
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
20
10
2
5
1
30
300
1
10
1000
100
3
100
50
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 15 A
5 A
10 A
V
GS
= 7 V
10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2160H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2160H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2164H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT2131R | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2132H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2132H-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2134H | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A 5LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2134H-EL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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