參數(shù)資料
型號： HAF1004
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.6 to 4.8; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 硅P通道MOS FET的電源開關(guān)系列
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： HAF1004
HAF1004(L), HAF1004(S)
Rev.5.00, Apr.29.2003, page 6 of 10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Drain Current I
D
(A)
S
μ
s
Switching Characteristics
–5
–4
–3
–2
–1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V = 0 V
-5 V
-10 V
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
10000
1000
100
0
–10
–20
–30
–40
–60
–50
C
Drain to Source V
DS
(V)
Typical capacitance vs.
Drain to Source Voltage
500
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
200
100
1000
20
50
10
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
2
1
0.5
0.2
0.1
50
20
10
100
r
V
GS
=
–
10 V, V
DD
=
–
30 V
PW = 300
μ
s, duty < 1 %
tf
d(on)
t
d(off)
t
V = 0
f = 1 MHz
Coss
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PDF描述
HAF1004S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.7 to 4.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V): &#160; ESD (kV) min: -; Package: MHD
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