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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88136CD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 1286K |
| 代理商： | GS88136CD-333IT |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
WR
R
W
R
X
CR
R
CW
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1. The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
2. Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a deselect cycle. Dummy read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
3. Transitions shown in gray tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
GS88118C(T/D)/GS88132C(T/D)/GS88136C(T/D)
Rev: 1.01 6/2010
14/37
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Simplified State Diagram with G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136CT-250V | CACHE SRAM, PQFP100 |
| GS881E18AD-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS88136T-100I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
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