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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88136CD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 11/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 1286K |
| 代理商： | GS88136CD-333IT |
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AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-333
-300
-250
-200
-150
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
3.0
—
3.3
—
4.0
—
5.0
—
6.7
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Setup time
tS
1.0
—
1.0
—
1.2
—
1.4
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.1
—
0.1
—
0.2
—
0.4
—
0.5
—
ns
Flow
Through
Clock Cycle Time
tKC
4.5
—
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
4.5
—
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Setup time
tS
1.3
—
1.4
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.3
—
0.4
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.0
—
1.0
—
1.3
—
1.3
—
1.5
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.2
—
1.2
—
1.5
—
1.5
—
1.7
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ1
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
3.0
1.5
3.0
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
G to output in Low-Z
tOLZ1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ1
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
ZZ setup time
tZZS2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH2
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
GS88118C(T/D)/GS88132C(T/D)/GS88136C(T/D)
Rev: 1.01 6/2010
19/37
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Notes:
1. These parameters are sampled and are not 100% tested
2. ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136CT-250V | CACHE SRAM, PQFP100 |
| GS881E18AD-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88136CGT-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
| GS88136T-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-100I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
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