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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS880E18GT-66I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 18 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 850K |
| 代理商： | GS880E18GT-66I |
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Rev: 1.11 11/2000
15/25
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS880E18/32/36T-11/11.5/100/80/66
AC Electrical Characteristics
Notes:
1. These parameters are sampled and are not 100% tested.
2. ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
Parameter
Symbol
-11
-11.5
-100
-80
-66
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
10
—
10
—
10
—
12.5
—
15
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
4.0
—
4.0
—
4.0
—
4.5
—
5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Flow-
Thru
Clock Cycle Time
tKC
15.0
—
15.0
—
15.0
—
15.0
—
20
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
11.0
—
11.5
—
12.0
—
14.0
—
18
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.7
—
1.7
—
2
—
2
—
2.3
—
ns
Clock LOW Time
tKL
2
—
2
—
2.2
—
2.2
—
2.5
—
ns
Clock to Output in High-Z
tHZ1
1.5
4.0
1.5
4.2
1.5
4.5
1.5
4.5
1.5
4.8
ns
G to Output Valid
tOE
—
4.0
—
4.2
—
4.5
—
4.5
—
4.8
ns
G to output in Low-Z
tOLZ1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ1
—
4.0
—
4.2
—
4.5
—
4.5
—
4.8
ns
Setup time
tS
1.5
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Hold time
tH
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
ZZ setup time
tZZS2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH2
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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