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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS880E18GT-66I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 18 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/25頁(yè) |
| 文件大小： | 850K |
| 代理商： | GS880E18GT-66I |
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Rev: 1.11 11/2000
23/25
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS880E18/32/36T-11/11.5/100/80/66
TQFP Package Drawing
BPR 1999.05.18
D
1
D
E1
E
P
in
1
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1. All dimensions are in millimeters (mm).
2. Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min. Nom. Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
—
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880F18T-14T | 512K X 18 CACHE SRAM, 14 ns, PQFP100 |
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| GS88136T-11.5IT | 256K X 36 CACHE SRAM, 11.5 ns, PQFP100 |
| GS881E36BT-150T | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS881E18BD-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS880E18T | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS880E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS880E18T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS880E18T-11 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS880E18T-11.5 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs |
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