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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662R09BD-350 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 9 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 25/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 769K |
| 代理商： | GS8662R09BD-350 |
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GS8662R08/09/18/36BD-400/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 3/2011
31/37
2011, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
Test Port Input Low Voltage
VILJ
–0.3
0.3 * VDD
V
1
Test Port Input High Voltage
VIHJ
0.7 * VDD
VDD +0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
VDD – 0.2
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.2
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDD – 0.1
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
0.1
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –1 V < Vi < VDDn +1 V not to exceed V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDD supply.
6. IOHJ = –2 mA
7. IOLJ = + 2 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDD/2
TDO
VDD/2
50
Ω
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R09BGD-400I | 8M X 9 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS88037BT-225I | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PQFP100 |
| GS880F36BGT-7.5T | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS880V18BT-250T | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS880Z32CGT-250 | 256K X 32 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662R09BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8662R09E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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