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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864418GE-225IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/33頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | GS864418GE-225IV |
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GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.07a 10/2009
26/33
2003, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics (1.8/2.5 V Version)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input Low Voltage
VILJ1
–
0.3
0.3 * VDD1
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–
0.3
0.3 * VDD2
V
1
1.8 V Test Port Input High Voltage
VIHJ1
0.6 * VDD1
VDD1 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V < Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ VIN VDDn
3. 0 V
V
IN V
ILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8644V18GE-150 | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
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| GS8662S36BGD-300 | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS88036T-100T | 256K X 36 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| GS88037CT-250I | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.3 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864436 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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| GS864436B-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 8.5NS/4NS 119FBGA - Trays |
| GS864436B-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864436B-133IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 8.5NS/4NS 119FPBGA - Trays |
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