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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E18GB-100T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 15/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | GS840E18GB-100T |
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Rev: 2.05 6/2000
22/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1a
D1a
Q2a
Q2b
Q2c
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQA - DQD
BA - BD
A0-An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2a
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E1
E3
E2
tS
tS tH
tS
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E3
tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS840E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS840E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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