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參數(shù)資料
| 型號： | GS8342TT06BGD-500T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | GS8342TT06BGD-500T |
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Rev: 1.00 5/2011
12/30
2011, GSI Technology
Preliminary
GS8342TT06/11/20/38BD-550/500/450/400/350
Burst of 2 State Diagram
Power-Up
NOP
Load New
Address
DDR Read
DDR Write
LOAD
READ
WRITE
LOAD
Notes:
1. The internal address burst counter is a 1 bit counter (i.e., when first address is A0, next internal burst address is A0+1).
2. “READ” refers to read active status with R/W = High, “WRITE” refers to write inactive status with R/W = Low.
3. “LOAD” refers to read new address active status with LD = Low, “LOAD” refers to read new address inactive status with LD = High.
LOAD
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