參數(shù)資料
型號(hào)： GS8342TT06BGD-500T
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 19/30頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： GS8342TT06BGD-500T
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
26/30
2011, GSI Technology
Preliminary
GS8342TT06/11/20/38BD-550/500/450/400/350
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDD/2
TDO
VDD/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
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