- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383036 > GS8170S36 (GSI TECHNOLOGY) 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8170S36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）同步SRAM（1,600位（為512k × 36位）同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS8170S36 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
5/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
Pin Description Table
Pin Location
A3, A5, A7, B7, U4, U6,
U8, V3, V4, V5, V6, V7,
V8, V9, W5, W6, W7
C7
B5
A6
B3, C9
B8, C4
B4, B9, C3, C8
K3
K1, K11
K2, K10
E2, F1, F2, G1, G2, H1,
H2, J1, J2, L10, L11,
M10, M11, N10, N11,
P10, P11, R10
A10, A11, B10, B11,
C10, C11, D10, D11,
E11, R1, T1, T2, U1, U2,
V1, V2, W1, W2
A1, A2, B1, B2, C1, C2,
D1, D2, E1, E10, F10,
F11, G10, G11, H10,
H11, J10, J11, L1, L2,
M1, M2, N1, N2, P1, P2,
R2, R11, T10, T11, U10,
U11, V10, V11, W10,
W11
C6
A4, A8
Symbol
Description
Type
Comments
A
Address
Input
—
A
A
Address
Address
Advance
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Output
Output
x18 version only
x18 and x36 versions
Active High
Active Low (all versions)
Active Low (x36 and x72 versions)
Active Low (x72 version only)
Active High
Active High
Active Low
ADV
Bx
Bx
Bx
CK
CQ
CQ
Byte Write Enable
Byte Write Enable
Byte Write Enable
Clock
Echo Clock
Echo Clock
DQ
Data I/O
Input/Output
x18, x36, and x72 versions
DQ
Data I/O
Input/Output
x36 and x72 versions
DQ
Data I/O
Input/Output
x72 version only
E1
Chip Enable
Chip Enable
Input
Input
Active Low
E2 & E3
Programmable Active High or Low
—
G6, H6
EP2 & EP3
Chip Enable Program Pin
Input
D6
W9
G
Asynchronous Output Enable
Test Clock
Input
Input
Active Low
Active High
—
TCK
W4
TDI
Test Data In
Input
W8
W3
TDO
TMS
Test Data Out
Test Mode Select
Mode Control Pins
Must Connect High
Must Connect Low
Output
Input
Input
Input
Input
—
—
—
L6, M6, J6
N6
K6, P6, T6
M2, M3 & M4
MCH
MCL
Active High
Active Low
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170S18 | 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM) |
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| GS8180S36 | 512K x 36Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(512K x 36位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8171DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209BGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
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