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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170S36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）同步SRAM（1,600位（為512k × 36位）同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/38頁(yè) |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS8170S36 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
20/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
Read/Write Control State Diagram
Deselect
New Read
New Write
Burst Read
Burst Write
W
R
C
R
C
W
D
D
C
C
W
R
D
C
W
R
D
D
Current State (n)
Next State (n + 1)
Transition
Input Command Code
Key
Note
W, R, C and D represent input command
codes as indicated in the Synchronous Truth Table.
Clock (CK)
Command
Current State
Next State
n
n+1
n+2
n+3
Current State & Next State Definition for Read
/Write Control State Diagram
W
R
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