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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170DW72AGC-300IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-209 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1038K |
| 代理商： | GS8170DW72AGC-300IT |
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GS8170DW36/72AC-350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
18/32
2003, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Symbol
-350
-333
-300
-250
Test Conditions
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
Operating
Current
x72
IDDP (PL)
365 mA
375 mA
345 mA
355 mA
320 mA
330 mA
275 mA
285 mA
E1
≤ VIL Max.
tKHKH
≥ tKHKH Min.
All other inputs
VIL ≥ VIN ≥ VIH
x36
IDDP (PL)
265 mA
275 mA
245 mA
255 mA
225 mA
235 mA
200 mA
210 mA
Chip Disable
Current
x72
ISB1 (PL)
80 mA
90 mA
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
E1
≥ VIH Min. or
tKHKH
≥ tKHKH Min.
All other inputs
VIL ≥ VIN ≥ VIH
x36
ISB1 (PL)
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
60 mA
70 mA
Bank Deselect
Current
x72
ISB2 (PL)
80 mA
90 mA
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
E2 or E3 False
tKHKH
≥ tKHKH Min.
All other inputs
VIL ≥ VIN ≥ VIH
x36
ISB2 (PL)
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
60 mA
70 mA
CMOS
Deselect
Current
IDD3
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
Device Deselected
All inputs
VSS + 0.10 V
≥ VIN ≥
VDD – 0.10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS82032AGQ-133IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS8321EV18GE-133T | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8170LW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
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