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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8162ZV36AGD-350I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | GS8162ZV36AGD-350I |
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Rev: 1.00a 6/2003
19/36
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8162ZV18A(B/D)/GS8162ZV36A(B/D)/GS8162ZV72A(C)
Preliminary
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ and PE Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT, ZQ Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH
IOH = –4 mA, VDDQ = 1.6 V
VDDQ – 0.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4 mA, VDD = 1.6 V
—
0.4 V
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