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參數(shù)資料
| 型號： | GS816236D-150IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/38頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | GS816236D-150IT |
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GS816218(B/D)/GS816236(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.18 11/2005
16/38
1999, GSI Technology
50% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
50% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816236B-133IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| GS8162Z72AC-300 | 256K X 72 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8170DW72AC-250IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209 |
| GS8170DW72AGC-300IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816236D-166I | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| GS816236DB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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