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參數(shù)資料
| 型號： | GS816236D-150IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | GS816236D-150IT |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
WR
R
W
R
X
CR
R
CW
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1. The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
2. Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
3. Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.18 11/2005
13/38
1999, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816236B-133IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| GS8162Z72AC-300 | 256K X 72 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8170DW72AC-250IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209 |
| GS8170DW72AGC-300IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816236D-166I | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| GS816236DB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816236DB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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