參數(shù)資料
型號： GS816236D-150IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 10/38頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： GS816236D-150IT
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.18 11/2005
18/38
1999, GSI Technology
Operating
Currents
Par
ameter
Test
Conditions
Mode
Symbol
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Un
it
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
O
perating
Curre
nt
3.
3V
D
evi
ce
S
ele
ct
ed
;
All
ot
her
input
s
≥V
IH
or
≤
V
IL
Outp
ut
open
(x36
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
290
40
300
40
26
5
35
27
5
35
240
30
250
30
205
25
21
5
25
19
0
25
200
25
170
20
18
0
20
mA
Flow
Through
I DD
I DDQ
180
20
190
20
17
0
20
18
0
20
165
15
175
15
155
15
16
5
15
0
15
160
15
140
10
15
0
10
mA
(x18
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
260
20
270
20
23
5
20
24
5
20
215
15
225
15
185
15
19
5
15
17
0
15
180
15
155
10
16
5
10
mA
Flow
Through
I DD
I DDQ
165
10
175
10
15
5
10
16
5
10
150
10
160
10
140
10
15
0
10
13
5
10
145
10
125
10
13
5
10
mA
O
perating
Curre
nt
2.
5V
D
evi
ce
S
ele
ct
ed
;
All
ot
her
input
s
≥V
IH
or
≤
V
IL
Outp
ut
open
(x36
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
290
30
300
30
26
5
30
27
5
30
240
25
250
25
205
20
21
5
20
19
0
20
200
20
170
15
18
0
15
mA
Flow
Through
I DD
I DDQ
180
20
190
20
17
0
20
18
0
20
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15
175
15
155
15
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5
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15
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mA
(x18
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
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15
270
15
23
5
15
24
5
15
215
15
225
15
185
10
19
5
10
17
0
10
180
10
155
10
16
5
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mA
Flow
Through
I DD
I DDQ
165
10
175
10
15
5
10
16
5
10
150
10
160
10
140
10
15
0
10
13
5
10
145
10
125
10
13
5
10
mA
St
andb
y
Curre
nt
ZZ
≥
V
DD
–0.2
V
—
Pi
pe
line
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Flow
Through
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Des
elect
Curre
nt
Devi
ce
De
sel
ec
ted
;
All
ot
her
input
s
≥
V
IH
or
≤V
IL
—
Pi
pe
line
I DD
85
90
80
85
75
80
64
70
60
65
50
55
mA
Flow
Through
I DD
60
65
60
65
50
55
50
55
50
55
45
50
mA
Notes:
1.
I DD
a
nd
I DDQ
apply
to
an
ycombination
of
V
DD3
,V
DD2
,V
DD
Q
3,
and
V
DDQ2
operation.
2.
All
p
arameters
listed
are
worst
case
scenario.
相關PDF資料
PDF描述
GS816236B-133IT 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
GS8162Z72AC-300 256K X 72 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA209
GS8162ZV36BD-200IT 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
GS8170DW72AC-250IT 256K X 72 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209
GS8170DW72AGC-300IT 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GS816236D-166I 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
GS816236DB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-150V 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-200 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
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