參數(shù)資料
型號(hào)： GS81302TT07E-333IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 9/31頁(yè)
文件大小： 1198K
代理商： GS81302TT07E-333IT
GS81302TT07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
17/31
2011, GSI Technology
Programmable Impedance HSTL Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
VOH1
VDDQ/2 – 0.12 VDDQ/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
VOL1
VDDQ/2 – 0.12 VDDQ/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
VOH2
VDDQ – 0.2
VDDQ
V
4, 5
Output Low Voltage
VOL2
Vss
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
IOH = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOH = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 350Ω).
2.
IOL = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOL = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 350Ω).
3. Parameter tested with RQ = 250
Ω and VDDQ = 1.5 V
4. 0
Ω ≤ RQ ≤ ∞Ω
5. IOH = –1.0 mA
6. IOL = 1.0 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS81302TT07GE-333I 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS816036AGT-250I 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
GS8160E36GT-250 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
GS816118AGT-200IT 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
GS8161E18GT-166I 1M X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS815018AB 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM
GS815018AB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays
GS815018AB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays
GS815018AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays
GS815018AB-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays
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