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參數資料
| 型號： | GS81302TT07E-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 30/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1198K |
| 代理商： | GS81302TT07E-333IT |
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Resulting Write Operation
Byte 1
D0–D8
Byte 2
D9–D17
Byte 3
D0–D8
Byte 4
D9–D17
Written
Unchanged
Written
Beat 1
Beat 2
Example x18 RAM Write Sequence using Byte Write Enables
Data In Sample Time
BW0
BW1
D0–D8
D9–D17
Beat 1
0
1
Data In
Don’t Care
Beat 2
1
0
Don’t Care
Data In
GS81302TT07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
8/31
2011, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS81302TT07GE-333I | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS816036AGT-250I | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS8160E36GT-250 | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS816118AGT-200IT | 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS8161E18GT-166I | 1M X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS815018AB | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS815018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
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