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參數(shù)資料
| 型號： | GS81302T110E-450T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 9 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1202K |
| 代理商： | GS81302T110E-450T |
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16M x 9 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View
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A
CQ
SA
R/W
NC
K
SA
LD
SA
CQ
B
NC
SA
NC/SA
(288Mb)
K
BW0
SA
NC
DQ4
C
NC
VSS
SA
VSS
NC
D
NC
VSS
NC
E
NC
DQ5
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ3
F
NC
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VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
G
NC
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VSS
VDD
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H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
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J
NC
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NC
K
NC
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VDD
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VDD
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NC
L
NC
DQ7
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ1
M
NC
VSS
NC
N
NC
VSS
SA
VSS
NC
P
NC
DQ8
SA
QVLD
SA
NC
DQ0
R
TDO
TCK
SA
ODT
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
3. BW0 controls writes to DQ0 :DQ8.
4. Pin B5 is the expansion address.
GS81302T07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2011
3/31
2011, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816136CGD-250T | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
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| GS8161Z18DT-200T | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS81302T36GE-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 144MBIT 4MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS81302T36GE-333I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 144MBIT 4MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS815018AB | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS815018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
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