- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄173638 > GS81302T10E-350I (GSI TECHNOLOGY) 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS81302T10E-350I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 28/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1202K |
| 代理商： | GS81302T10E-350I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁
Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
—
R/W
Synchronous Read
Input
High: Read
Low: Write
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
LD
Synchronous Load Pin
Input
Active Low
K
Input Clock
Input
Active High
K
Input Clock
Input
Active Low
TMS
Test Mode Select
Input
—
TDI
Test Data Input
Input
—
TCK
Test Clock Input
Input
—
TDO
Test Data Output
Output
—
VREF
HSTL Input Reference Voltage
Input
—
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
—
MCL
Must Connect Low
—
DQ
Data I/O
Input/Output
Three State
Doff
Disable DLL when low
Input
Active Low
CQ
Output Echo Clock
Output
—
CQ
Output Echo Clock
Output
—
VDD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
VDDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.8 V or 1.5 V Nominal
VSS
Power Supply: Ground
Supply
—
QVLD
Q Valid Output
Output
—
ODT
On-Die Termination
Input
Active High
NC
No Connect
—
GS81302T07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2011
6/31
2011, GSI Technology
Notes:
1. NC = Not Connected to die or any other pin
2. When ZQ pin is directly connected to VDDQ, output impedance is set to minimum value and it cannot be connected to ground or left
unconnected.
3. K and K cannot be set to VREF voltage.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS81302T110E-450T | 16M X 9 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| GS816136CGD-250T | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| GS8161EV32BD-200 | 512K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8161Z18DGD-200IVT | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8161Z18DT-250IV | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS81302T36GE-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 144MBIT 4MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS81302T36GE-333I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 144MBIT 4MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS815018AB | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS815018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。