- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383008 > GLT5640L32-5.5 (Electronic Theatre Controls, Inc.) CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GLT5640L32-5.5 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| 中文描述： | 200萬的CMOS同步DRAM × 32內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640L32-5.5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當(dāng)前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁
G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 22 -
9. Read / Write Command Interval
9.1 Read to Read Command Interval
During a read cycle when a new read command is asserted, it will be effective after the
CAS
latency, even if the previous read
operation has not completed. READ will be interrupted by another READ.
Each read command can be asserted in every clock without any restriction.
READ to READ Command Interval
9.2 Write to Write Command Interval
During a write cycle, when a new Write command is asserted, the previous burst will terminated and the new burst will begin
with a new write command. WRITE will be interrupted by another WRITE.
Each write command can be asserted in every clock without any restriction.
WRITE to WRITE Command Interval
Burst lengh=4, CAS latency=2
CLK
Command
DQ
QA0
QB2
QB1
QB0
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Hi-Z_
T8
1 cycle
QB3
Read B
Burst lengh=4, CAS latency=2
CLK
Command
DQ
QA0
QB2
QB1
QB0
Write A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Hi-Z_
T8
1 cycle
QB3
Write B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640L32-6 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-7 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| GLT5640L32-8 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT625608 | Time-Delay Relay; Contacts:DPDT; Time Range:10 to 100s; Mounting Type:Panel; Timing Function:Delay-On-Dropout; Contact Carrying Power:2VA |
| GLT625608-10FB | 32K x 8 SLOW SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640L32-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT62 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 60W Three channel 5V/12V/-12V RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長(zhǎng)度: 寬度: 高度: |
| GLT625608 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 SLOW SPEED CMOS STATIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。