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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16P-8TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 68/72頁 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-8TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 68 -
Precharge Termination of a Burst (1 of 2)
*BA1=”L” , Bank C , D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=8, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
RAc
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge Termination
of a Write Burst. Write
data is masked.
Precharge
Bank A
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Prof a Read Burst.
High
RAa
CAc
CAa
QAa1
QAa0
QAa2
Da3
QAb0
QAb1
QAb2
QAc0
QAc1
QAc2
tDPL
tRP
tRP
tRP
Activate
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
*BA0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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