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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GLT5640AL16P-8TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| 中文描述： | 4米× 16個(gè)CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-8TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
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10.BURST Termination
There are two methods to terminate a burst operation other than using a read or a write command. One is the burst stop
command and the other is the precharge command.
10.1 BURST Stop Command
During a read burst, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus goes to high-
impedance after the
CAS
latency from the burst stop command.
During a write burst, when the burst stop command is issued, the burst write data are terminated and data bus goes to Hi-Z at
the same clock with the burst stop command.
Burst Termination
Remark BST: Burst stop command
Burst lengh=X, CASIntency=2,3
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
CAS latency=3
DQ
Q0
Q2
Q1
Read
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
BST
H-Z
Q0
Q2
Q1
Hi-Z
Burst lengh=X, CAS latency=23
CLK
Command
CASlatency=2,3
DQ
Q0
Q2
Q1
Write
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
BST
Hi-Z_
Q0
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PDF描述 |
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