參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1000R25KF1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： FZ1000R25KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 1000 R 25 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
1,35
3,3
5,55
1,8
τ
i
[sec]
: IGBT
0,011
0,052
0,103
0,95
r
i
[K/kW]
: Diode
3,15
7,5
6,75
6,6
τ
i
[sec]
: Diode
0,025
0,056
0,1
1,31
Z
t
[
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
8
FZ101@3.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ100A06KL TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
FZ100A05KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q
FZ25A05KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
FZ25A06KL TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 25A I(C)
FZ25A10KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FZ1000R33HE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1000R33HL3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ100A05KN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q
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