參數(shù)資料
型號： FZ1000R25KF1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： FZ1000R25KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 1000 R 25 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 10V
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5
FZ101@3.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FZ25A05KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
FZ25A06KL TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 25A I(C)
FZ25A10KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
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參數(shù)描述
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FZ1000R33HE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1000R33HL3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ100A05KN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q
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