參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1000R25KF1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： FZ1000R25KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 1000 R 25 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 2,7 Ohm, C
GE
= 136nF, T
vj
= 125°C
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
0
500
1000
1500
2000
2500
IC,Modul
IC,Chip
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
0
500
1000
1500
2000
2500
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
T
vj
= 125°C
7
FZ101@3.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ100A06KL TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
FZ100A05KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q
FZ25A05KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
FZ25A06KL TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 25A I(C)
FZ25A10KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FZ1000R33HE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1000R33HL3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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