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參數(shù)資料
| 型號： | FZ1000R25KF1 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | FZ1000R25KF1 |
Technische Information / Technical Information
FZ 1000 R 25 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,012
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,024
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
λ
Paste
≤
1 W/m*K /
λ
grease
≤
1 W/m*K
R
thCK
-
0,008
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Schaltvorgnge IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
T
vj,op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulbodenplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
32
mm
Luftstrecke
clearance
19,1
mm
CTI
comperative tracking index
>400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
2
Nm
terminals M8
8 - 10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3
FZ101@3.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FZ25A06KL | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 25A I(C) |
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