參數(shù)資料
型號(hào)： FQS4410
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
中文描述： 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 598K
代理商： FQS4410
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQS4900 Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4901 400V Dual N-Channel MOSFET
FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET
FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT13N06 60V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQS4410TF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4900TF 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900TF_Q 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4901 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N-Channel MOSFET
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