參數(shù)資料
型號(hào)： FQS4410
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
中文描述： 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 598K
代理商： FQS4410
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
※
N o te s :
1 . Z
(t) = 5 0
℃
/W Ma x.
2 . D u ty F a c to r , D =t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
A
= P
D M
* Z
θ
J A
(t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Note :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 10 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Note :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance vs. Temperature
Figure 11. Thermal Response
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQS4900 Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4901 400V Dual N-Channel MOSFET
FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET
FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT13N06 60V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQS4410TF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4900TF 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900TF_Q 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4901 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N-Channel MOSFET
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