參數(shù)資料
型號(hào)： FQI58N08
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 57.5A I(D) | TO-262AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直| 57.5AI（四）|對(duì)262AA
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 630K
代理商： FQI58N08
F
Rev. A2, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
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±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
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±
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(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB9N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
FQB9N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI9N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
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參數(shù)描述
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