參數(shù)資料
型號： FQI22N30
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 21A條（?。﹟ TO - 263封裝
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 773K
代理商： FQI22N30
QFET
! "
# !
! !
$ !
% &'()**+,
% 01234
% 012*4
%
% '**5!
% 6!!$"
-* '.
/+
-'*+
! "
!
!
!
"
"
+
+
)**
+
6
1
-&784
&'
(
1
-'**84
') )
(
6
9
:2
±
)*
(
+
;+
+
<
9(!<
'***
=
6
(!
&'
(
<
,!(!<
'3
=
!$
9>,!!$
91
2 7
+$
9
-&784
) ')
@
91
-&784
'3*
@
"!&78
' )7
@$8
,
77A'7*
8
B
'$: 7
)**
8
,
θ
,
θ
,
θ
,=
* 32
8
@
,=("
2*
8
@
,=("
.& 7
8
@
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI22P10 100V P-Channel MOSFET
FQB22N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI22N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263
FQI30N06L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI22N30TU 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI22P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET
FQI24N08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET
FQI26N03L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263
FQI26N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*