參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT555
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： FMMT555
SOT23 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 JANUARY 1996
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
COMPLEMENTARY TYPE
FMMT455
PARTMARKING DETAIL
555
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-160
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-150
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Base Current
I
B
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j:
T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-160
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-150
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-140V
V
CB
=-140V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.3
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1
V
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
300
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-300mA, V
CE
=-10V*
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
C
obo
10
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
FMMT555
C
B
E
SOT23
3 - 131
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PDF描述
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